本文作者:小乐剧情

二极管测量好坏怎样测,二极管测量好坏用哪个档位

小乐剧情 2024-05-09 20:09 329 288条评论
二极管测量好坏怎样测,二极管测量好坏用哪个档位摘要:金融界2024年5月8日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“发光二极管显示装置“的专利,授权公告号CN110349988B,申请日期为2019年1月。专利摘要显示,提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括:显示板,包括多个单元像素;驱动电路板等我继续说。 ...

金融界2024年5月8日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“发光二极管显示装置“的专利,授权公告号CN110349988B,申请日期为2019年1月。专利摘要显示,提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括:显示板,包括多个单元像素;驱动电路板等我继续说。

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证券之星消息,根据企查查数据显示海信家电(000921)新获得一项发明专利授权,专利名为“肖特基二极管”,专利申请号为CN202311111466.4,授权日为2024年5月7日。专利摘要:本发明公开了一种肖特基二极管,肖特基二极管包括:第一掺杂类型的衬底,衬底一侧设置有阴极;第一掺杂类型说完了。

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金融界2024年5月6日消息,据国家知识产权局公告,常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种快恢复二极管芯片及其制作方法“授权公告号CN113054037B,申请日期为2019年12月。专利摘要显示,本发明涉及芯片制造领域,具体公开了一种快恢复二极管芯片,包括芯片本体,所述芯片等我继续说。

南方财经5月6日电,从中国科学技术大学获悉,该校孙海定教授课题组与武汉大学刘胜院士团队合作,在国际上首次提出了新型三电极光电PN结二极管结构,构筑载流子调制新方法,实现了第三端口外加电场对二极管光电特性的有效调控。相关研究成果日前在线发表于期刊《自然•电子学》..

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金融界2024年5月4日消息,据国家知识产权局公告,上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976537A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种沟槽肖特基二极管制备方法,采用第一氧化硅好了吧!

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金融界2024年5月4日消息,据国家知识产权局公告,上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽肖特基二极管“公开号CN117976536A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种新型沟槽肖特基二极管制备方法及沟槽好了吧!

金融界2024年5月3日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“复合材料、量子点发光二极管及其制备方法“公开号CN117979731A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本申请公开了一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法,属于显示技术领域后面会介绍。

金融界2024年5月1日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制备方法、显示装置及其制备方法“公开号CN117954470A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种发光二极管芯片及其制备方法、显示装置及好了吧!

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金融界2024年5月2日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法“授权公告号CN113972342B,申请日期为2020年7月。专利摘要显示,本发明属于显示器件技术领域,具体涉及一种量子点薄膜及其制是什么。

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金融界2024年4月23日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“有机发光二极管、显示面板和显示装置“授权公告号CN113097401B,申请日期为2021年4月。专利摘要显示,本发明提出了一种有机发光二极管、显示面板和显示装置,有机发光二极管,包括后面会介绍。

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作者:小乐剧情本文地址:https://9r.516ds.com/ku3ph9n6.html发布于 2024-05-09 20:09
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访客 游客 422楼
05-09 回复
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05-09 回复
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